LTH7R座充充电管理 IC
一、 概述
LTH7R.是恒流/恒压座充充电器芯片,主要应用于单节锂电池充电。无需外接检测电阻,其内部为 MOSFET结构,因此无需外接反向二极管。
LTH7R.在大功率和高环境温度下可以自动调节充电电流以限制芯片温度。它的充电电压固定在 4.2V,充电电流可以通过外置一个电阻器进行调节。当达到浮充电压并且充电电流下降到设定电路的 1/10 时,LTH7R.自动终止充电过程。当输入电压移开之后,LTH7R.自动进入低电流模式,从电池吸取少于 2uA 的电流。当 LTH7R.进入待机模式时,供电电流小于 70uA。
LTH7R.还可以监控充电电流,具有电压检测、自动循环充电的特性,并且具有一个指示管脚指示充电终止状态和输入电压状态。
二、 特性
Ø 可达 500mA的可编程充电电流
Ø 无需外接 MOSFET、检测电阻、反向二极管
Ø 恒流/恒压模式操作,具有热保护功能
Ø 可通过 USB端口为锂电池充电
Ø 具有 1%精度的预设充电电压
Ø 待机模式下电流为 70uA
Ø 2.9V涓流充电电压
Ø 软启动限制了浪涌电流
Ø 采用 SOT23-5封装
三、 产品应用
Ø 手机、掌上电脑、MP3播放器
Ø 蓝牙耳机
四、应用线路
五、管脚图及功能说明
六、 绝对z大额定值
参数 |
符号 |
额定值 |
单位 |
输入电源电压 |
VCC |
7 |
V |
PROG 电压 |
VPROG |
VCC0.3 |
V |
BAT 电压 |
VBAT |
7 |
V |
CHRG 电压 |
VCHRG |
7 |
V |
BAT 短路 |
|
Continuous |
|
热阻 |
θJA |
250 |
℃/W |
BAT 电流 |
IBAT |
500 |
mA |
PROG 电流 |
IPROG |
800 |
µA |
z高结温 |
TJ |
110 |
℃ |
储藏温度 |
TS |
-65 to 125 |
℃ |
焊接温度(不超过 10 秒) |
|
260 |
℃ |
Ø 充电电流外部编程:PROG(引脚5):恒流充电电流设置和充电电流监测端。从PROG管脚连接一个外部电阻到地端可以对充电电流进行编程。在预充电阶段,此管脚的电压被调制在 0.1V;在恒流充电阶段,此管脚的电压被固定在 1V。在充电状态的所有模式,测量该管脚的电压都可以根据下面的公式来估算充电电流:
七、电气特性(VIN=5V;TJ=25℃,除非另有说明)
符号 |
参数 |
条件 |
z小值 |
典型值 |
z大值 |
单位 |
VCC |
输入电源电压 |
|
4.5 |
5.0 |
5.5 |
V |
ICC |
输入电源电流 |
充电模式(3),RPROG=10K |
|
50 |
300 |
µA |
待机模式(充电终止) |
|
70 |
|
µA |
||
关断模式(RPROG未连接, VCC﹤VBAT,VCC﹤VUV) |
|
38 |
100 |
µA |
||
VFLOAT |
可调输出(浮充)电压 |
IBAT=30 mA,ICHRG=5 mA A:4.2-4.28V; B:4.17-4.205V |
4.16 |
4.24 |
4.28 |
V |
IBAT |
BAT 端电流 |
RPROG = 10k,电流模式 |
90 |
110 |
130 |
mA |
RPROG = 2k,电流模式 |
465 |
500 |
535 |
mA |
||
VBAT=4.2V,待机模式 |
0 |
/-1 |
/-5 |
µA |
||
关断模式, RPROG未连接 |
|
/-0.5 |
/-5 |
µA |
||
休眠模式,VCC=0V |
|
/-1 |
|
µA |
||
ITRIKL |
涓流充电电流 |
VBAT﹤VTRIKL,RPROG = 10k |
|
15 |
|
mA |
VTRIKL |
涓流充电阈值电压 |
RPROG = 10k,VBAT Rising |
2.8 |
2.9 |
3.0 |
V |
VUV |
VCC 欠压锁定阈值 |
VCC 从低到高 |
|
3.8 |
|
V |
VUVHYS |
VCC 欠压锁定滞后 |
VCC 从高到低 |
|
200 |
|
mV |
VASD |
VCC-VBAT 阈值电压 |
VCC 从低到高 |
|
100 |
|
mV |
VCC 从高到低 |
|
30 |
|
mV |
||
ITERM |
C/10Z 终止电流阈值 |
RPROG = 10k(4) |
|
0.1 |
|
mA/mA |
RPROG = 2k |
|
0.1 |
|
mA/mA |
||
VPROG |
PROG 端电压 |
RPROG = 10k,电流模式 |
0.9 |
1.03 |
1.1 |
V |
ΔVRECHRG |
电池阈值电压 |
VFLOAT - VRECHRG |
|
150 |
|
mV |
TLIM |
热保护温度 |
|
|
130 |
|
℃ |
注:
1、 超出z大工作范围可能会损坏芯片。
2、 超出器件工作参数极限,不保证其正常功能。
3、 电源电流包括 PROG端电流(大约 100uA),不包括通过 BAT端传输到电池的其他电流 。
4、 充电终止电流一般是设定充电电流的 0.1 倍。
八、 波形图
九、 封装尺寸图
规格 |
||||
尺寸 |
英寸 |
毫米 |
||
z小值 |
z大值 |
z小值 |
z大值 |
|
A |
0.110 |
0.120 |
2.80 |
3.05 |
B |
0.059 |
0.070 |
1.50 |
1.75 |
C |
0.036 |
0.051 |
0.90 |
1.30 |
D |
0.014 |
0.020 |
0.35 |
0.50 |
E |
— |
0.037 |
— |
0.95 |
F |
— |
0.075 |
— |
1.90 |
H |
— |
0.006 |
— |
0.15 |
J |
0.0035 |
0.008 |
0.090 |
0.20 |
K |
0.102 |
0.118 |
2.60 |
3.00
|